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IPP070N06LG、SPI80N06S2-07、IPP065N06LG对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPP070N06LG SPI80N06S2-07 IPP065N06LG

描述 OptiMOS㈢功率三极管 OptiMOS㈢ Power-Transistor的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-TransistorOptiMOS㈢功率三极管 OptiMOS㈢ Power-Transistor

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220 TO-262-3-1 TO-220

额定电压(DC) 60.0 V 55.0 V 60.0 V

额定电流 80.0 A 80.0 A 80.0 A

极性 - N-CH -

耗散功率 - 250W (Tc) -

输入电容 4.30 nF 4.54 nF 5.10 nF

栅电荷 126 nC 110 nC 157 nC

漏源极电压(Vds) 60 V 55 V 60.0 V

连续漏极电流(Ids) 80.0 A 80.0 A 80.0 A

输入电容(Ciss) 4300pF @30V(Vds) 4540pF @25V(Vds) -

耗散功率(Max) - 250W (Tc) -

额定功率(Max) 214 W - -

封装 TO-220 TO-262-3-1 TO-220

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free