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CY7C1518V18-250BZXC、GS8672T18BGE-250、CY7C1518JV18-250BZXC对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C1518V18-250BZXC GS8672T18BGE-250 CY7C1518JV18-250BZXC

描述 72兆位的DDR - II SRAM的2字突发架构 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 4M x 18 72M72兆位的DDR - II SRAM的2字突发架构 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) GSI Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片

基础参数对比

封装 LBGA BGA-165 LBGA

封装 LBGA BGA-165 LBGA

产品生命周期 Unknown Obsolete Obsolete

包装方式 - Bulk -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

工作温度(Max) - 70 ℃ -

工作温度(Min) - 0 ℃ -

工作温度 - 0℃ ~ 85℃ -