锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

IRFL110TRPBF、IRLL110PBF、IRFL110PBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFL110TRPBF IRLL110PBF IRFL110PBF

描述 VISHAY  IRFL110TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 100 V, 540 mohm, 10 VVISHAY  IRLL110PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 100 V, 540 mohm, 5 V, 2 VVISHAY  IRFL110PBF.  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 100 V, 540 mohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 3 3

封装 SOT-223 SOT-223 SOT-223

额定电压(DC) - 100 V 100 V

额定电流 - 1.50 A 1.50 A

额定功率 - 3.1 W 3.1 W

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.54 Ω 540 mΩ 0.54 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2 W 3.1 W 3.1 W

阈值电压 2 V 2 V 4 V

输入电容 - 250pF @25V 180pF @25V

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

漏源击穿电压 - 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 1.50 A 1.50 A 1.50 A

上升时间 16 ns 47 ns 16 ns

输入电容(Ciss) 180pF @25V(Vds) 250pF @25V(Vds) 180pF @25V(Vds)

下降时间 9.4 ns 18 ns 9.4 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 3.1 W 2 W 2 W

长度 6.7 mm 6.7 mm 6.7 mm

宽度 3.7 mm 3.7 mm 3.7 mm

高度 1.8 mm 1.45 mm 1.45 mm

封装 SOT-223 SOT-223 SOT-223

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 -