FDS9431A、IRF7425TRPBF、SI4463CDY-T1-GE3对比区别

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型号 FDS9431A IRF7425TRPBF SI4463CDY-T1-GE3

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS9431A  晶体管, MOSFET, P沟道, -3.5 A, -20 V, 130 mohm, -4.5 V, -600 mVINFINEON  IRF7425TRPBF  晶体管, MOSFET, P沟道, -15 A, -20 V, 0.0082 ohm, -4.5 V, -1.2 VVISHAY  SI4463CDY-T1-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -18.6 A, -20 V, 0.006 ohm, -10 V, -600 mV

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) -20.0 V - -

额定电流 -3.50 A - -

通道数 1 - -

针脚数 8 8 8

漏源极电阻 130 mΩ 0.0082 Ω 0.006 Ω

极性 P-Channel P-CH P-Channel

耗散功率 2.5 W 2.5 W 5 W

输入电容 405 pF 7980 pF -

栅电荷 6.00 nC - -

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V -

漏源击穿电压 20 V - -

栅源击穿电压 ±8.00 V - -

连续漏极电流(Ids) -3.50 A 15A -

上升时间 20 ns 20 ns 35 ns

输入电容(Ciss) 405pF @10V(Vds) 7980pF @15V(Vds) 4250pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 1 W 2.5 W -

下降时间 21 ns 160 ns 30 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2700 mW

额定功率 - 2.5 W -

阈值电压 - 1.2 V -

长度 5 mm 5 mm 4.9 mm

宽度 4 mm 4 mm 3.9 mm

高度 1.5 mm 1.5 mm 1.55 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

材质 - Silicon -

产品生命周期 Active Active -

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 - EAR99