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IRF1404ZSTRLPBF、IRF1404ZSTRRPBF、IRF1404ZSPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF1404ZSTRLPBF IRF1404ZSTRRPBF IRF1404ZSPBF

描述 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 40 V, 0.0027 ohm, 10 V, 4 VD2PAK N-CH 40V 190AINFINEON  IRF1404ZSPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 40 V, 3.7 mohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 200 W 200W (Tc) 200 W

产品系列 - IRF1404ZS -

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V

连续漏极电流(Ids) 190A 190 A 190A

上升时间 110 ns 110 ns 110 ns

输入电容(Ciss) 4340pF @25V(Vds) 4340pF @25V(Vds) 4340pF @25V(Vds)

下降时间 58 ns 58 ns 58 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 200W (Tc) 200W (Tc) 220000 mW

额定功率 220 W - 220 W

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 0.0027 Ω - 0.0037 Ω

阈值电压 4 V - 4 V

通道数 - - 1

额定功率(Max) - - 200 W

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

长度 10 mm - 10.67 mm

宽度 9.25 mm - 9.25 mm

高度 4.4 mm - 4.83 mm

材质 - Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17