NDS352AP、RSR015P03TL、IRLML9303TRPBF对比区别

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型号 NDS352AP RSR015P03TL IRLML9303TRPBF

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  NDS352AP  晶体管, MOSFET, P沟道, 900 mA, -30 V, 0.25 ohm, -10 V, -1.7 VROHM  RSR015P03TL  晶体管, MOSFET, P沟道, 1.5 A, -30 V, 235 mohm, -10 V, 2.5 VP 通道功率 MOSFET 最大 7A，InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定功率 500 mW - 1.25 W

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.25 Ω 235 mΩ 0.135 Ω

极性 P-Channel P-Channel P-CH

耗散功率 500 mW 1 W 1.25 W

阈值电压 - 2.5 V 1.3 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 900 mA 1.50 A 2.3A

上升时间 - 8 ns 14 ns

输入电容(Ciss) 135pF @15V(Vds) 190pF @10V(Vds) 160pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 460 mW 1 W 1.25 W

下降时间 30 ns 6 ns 8.6 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 500mW (Ta) 1W (Ta) 1250 mW

额定电压(DC) -30.0 V -30.0 V -

额定电流 -900 mA -1.50 A -

通道数 1 1 -

漏源击穿电压 -30.0 V 30 V -

长度 2.92 mm 2.9 mm 3.04 mm

宽度 1.4 mm 1.6 mm 1.4 mm

高度 0.94 mm 0.85 mm 1.02 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/12/17

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 EAR99 - -