FDPF5N50T、IPA50R650CEXKSA2对比区别

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型号 FDPF5N50T IPA50R650CEXKSA2

描述 FDPF5N50 系列 500 V 1.4 Ohm 法兰安装 N沟道 MOSFET - TO-220FTO-220 整包

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3

耗散功率 28000 mW 27.2W (Tc)

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V

上升时间 22 ns 5 ns

输入电容(Ciss) 640pF @25V(Vds) 342pF @100V(Vds)

额定功率(Max) 28 W 27.2 W

下降时间 20 ns 13 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 28 W 27.2W (Tc)

额定功率 - 27.2 W

极性 - N-CH

连续漏极电流(Ids) - 6.1A

长度 10.36 mm -

宽度 4.9 mm -

高度 16.07 mm -

封装 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅