GS74116AGP-10、GS74116AGP-10I、IS61LV25616AL-10TLI对比区别

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型号 GS74116AGP-10 GS74116AGP-10I IS61LV25616AL-10TLI

描述 SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-Bit 256K x 16 10ns 44Pin TSOP-II TrayGSI TECHNOLOGY  GS74116AGP-10I  芯片, 4MB ASYNCH芯片, SRAM 512K X 16, 10NSRAM，ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM，其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用，如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源：1.8V/3.3V/5V 提供的封装：BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择：x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM（静态随机存取存储器）

数据手册 ---

制造商 GSI GSI Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 44 44 44

封装 TSOP-44 TSOP TSOP-44

电源电压(DC) - 3.00V (min) 3.30 V, 3.60 V (max)

供电电流 105 mA 115 mA -

针脚数 - 44 -

存取时间 10 ns 10 ns 10 ns

内存容量 - 500000 B 4000000 B

存取时间(Max) 10 ns 10 ns 10 ns

工作温度(Max) - 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃

电源电压 3.3 V 3V ~ 3.6V 3.135V ~ 3.6V

工作电压 - - 3.3 V

位数 - - 16

电源电压(Max) - - 3.6 V

电源电压(Min) - - 3.135 V

封装 TSOP-44 TSOP TSOP-44

长度 - - 18.52 mm

宽度 - - 10.29 mm

高度 - - 1.05 mm

工作温度 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free PB free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2014/12/17 -

ECCN代码 - - EAR99

香港进出口证 - - NLR