锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

BU323AP、BU941P、MJH10012对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BU323AP BU941P MJH10012

描述 达林顿NPN硅功率晶体管400伏125瓦 DARLINGTON NPN SILICON POWER TRANSISTOR 400 VOLTS 125 WATTS高压点火线圈驱动NPN达林顿功率晶体管 High voltage ignition coil driver NPN power Darlington transistors功率达林顿晶体管NPN硅 POWER TRANSISTORS DARLINGTON NPN SILICON

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 -

封装 TO-218 TO-247-3 TO-218

额定电压(DC) - 400 V -

额定电流 - 15.0 A -

额定功率 - 150 W -

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 - 155 W -

击穿电压(集电极-发射极) 400 V 400 V 400 V

集电极最大允许电流 10A 15A 10A

最小电流放大倍数(hFE) - 300 @5A, 10V -

额定功率(Max) - 155 W -

直流电流增益(hFE) - 300 -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 155000 mW -

封装 TO-218 TO-247-3 TO-218

工作温度 - 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Active Unknown

包装方式 - Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -