BS170P、ZVN2110ASTZ、2N7000对比区别
型号 BS170P ZVN2110ASTZ 2N7000
描述 BS170 系列 60 V 5 Ohm N 沟道 增强模式 垂直 DMOS FET- TO-92Trans MOSFET N-CH 100V 0.32A Automotive 3Pin E-Line BoxN沟道 60V 200A
数据手册 ---
制造商 Diodes (美台) Diodes (美台) Diotec Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
引脚数 3 3 3
封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-92
安装方式 Through Hole Through Hole -
额定功率 - - 0.35 W
耗散功率 625 mW 0.7 W 0.35 W
阈值电压 3 V - 0.8 V
输入电容(Ciss) 60pF @10V(Vds) 75pF @25V(Vds) 60pF @25V(Vds)
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 625mW (Ta) 700mW (Ta) 350 mW
额定电压(DC) 60.0 V 100 V -
额定电流 270 mA 230 mA -
通道数 - 1 -
漏源极电阻 5 Ω 4.00 Ω -
极性 N-Channel N-Channel -
输入电容 - 75.0 pF -
漏源极电压(Vds) 60 V 100 V -
漏源击穿电压 60.0 V 100 V -
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 270 mA 320 mA -
上升时间 - 8 ns -
额定功率(Max) - 700 mW -
下降时间 - 13 ns -
针脚数 3 - -
封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-92
宽度 - 2.41 mm -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Bulk Box -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free -
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
军工级 Yes - -
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -
ECCN代码 - - EAR99
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -