PTF080901E、PTF080901F对比区别
描述 LDMOS射频功率场效应晶体管90 W, 869-960兆赫 LDMOS RF Power Field Effect Transistor 90 W, 869-960 MHzLDMOS射频功率场效应晶体管90 W, 869-960兆赫 LDMOS RF Power Field Effect Transistor 90 W, 869-960 MHz
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类
基础参数对比
封装 CASE 30248 CASE 31248
封装 CASE 30248 CASE 31248
产品生命周期 Obsolete Obsolete
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant