STP4NK60ZFP、STP60NF06FP、FQPF5N60C对比区别

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型号 STP4NK60ZFP STP60NF06FP FQPF5N60C

描述 STMICROELECTRONICS  STP4NK60ZFP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 600 V, 2 ohm, 10 V, 3.75 VN沟道60V - 0.014ohm - 60A TO- 220 / TO- 220FP STripFET⑩功率MOSFET N-CHANNEL 60V - 0.014ohm - 60A TO-220/TO-220FP STripFET⑩ POWER MOSFETFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQPF5N60C  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 600 V, 2.5 ohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) - 60.0 V 600 V

额定电流 - 60.0 A 4.50 A

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 2 Ω 0.014 Ω 2.5 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 25 W 30 W 33 W

阈值电压 3.75 V 4 V 4 V

漏源极电压(Vds) 600 V 60 V 600 V

漏源击穿电压 - 60 V 600 V

栅源击穿电压 - ±20.0 V ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 4.00 A 37.0 A 4.50 A

上升时间 9.5 ns 108 ns 42 ns

输入电容(Ciss) 510pF @25V(Vds) 1810pF @25V(Vds) 670pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 25 W 30 W 33 W

下降时间 16.5 ns 20 ns 46 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 25000 mW 30W (Tc) 33W (Tc)

通道数 1 1 -

额定功率 25 W - -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

长度 10.4 mm 10.4 mm -

宽度 4.6 mm 4.6 mm -

高度 9.3 mm 9.3 mm -

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/06/15

ECCN代码 - - EAR99

香港进出口证 - - NLR