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BC640-16G、BC640TA、2N930对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC640-16G BC640TA 2N930

描述 高电流晶体管 High Current TransistorsFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BC640TA  单晶体管 双极, PNP, -80 V, 100 MHz, 1 W, -1 A, 25 hFETrans GP BJT NPN 45V 0.03A 3Pin TO-18

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) Semelab

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 - 3 3

封装 TO-92 TO-92-3 TO-18

频率 - 50 MHz -

额定电压(DC) - -80.0 V -

额定电流 - -1.00 A -

额定功率 800 mW 800 mW -

针脚数 - 3 -

极性 PNP PNP -

耗散功率 - 1 W -

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V -

集电极最大允许电流 0.5A 1A -

最小电流放大倍数(hFE) - 40 @150mA, 2V -

最大电流放大倍数(hFE) - 160 -

额定功率(Max) - 1 W -

直流电流增益(hFE) - 25 -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 1 W 300 mW

长度 - 4.58 mm -

宽度 - 3.93 mm -

高度 - 5.33 mm -

封装 TO-92 TO-92-3 TO-18

工作温度 - 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

包装方式 - Box -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

ECCN代码 - EAR99 -