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BZV55-B12、BZV55-B12,135、BZV55-B12112对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZV55-B12 BZV55-B12,135 BZV55-B12112

描述 500mW,BZV55 系列,NXP SemiconductorsNXP 500mW 表面安装 (SMT) 齐纳二极管,具有较宽的击穿电压范围。### 齐纳二极管,NXP SemiconductorsMini-MELF 12V 0.5W(1/2W)DIODE 12 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, Voltage Regulator Diode

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 2 2 -

封装 SOD-80 Mini-MELF -

容差 - ±2 % -

正向电压 - 900mV @10mA -

耗散功率 - 500 mW -

测试电流 - 5 mA -

稳压值 12 V 12 V -

正向电压(Max) - 900mV @10mA -

额定功率(Max) - 500 mW -

耗散功率(Max) 500 mW 500 mW -

工作温度(Max) 200 ℃ - -

工作温度(Min) -65 ℃ - -

封装 SOD-80 Mini-MELF -

高度 3.7 mm - -

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ -

温度系数 8.4 mV/℃ 8.4 mV/K -

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -