PH7030L、PH7030L,115、PSMN7R0-30YL,115对比区别
型号 PH7030L PH7030L,115 PSMN7R0-30YL,115
描述 PH7030L N沟道MOSFET 30V 68A SOT-669 marking/标记 7030L 硅栅高速开关/低驱动Trans MOSFET N-CH 30V 68A 5Pin(4+Tab) LFPAK T/RNexperia Si N沟道 MOSFET PSMN7R0-30YL,115, 76 A, Vds=30 V, 4引脚 SOT-669封装
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Nexperia (安世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 - Surface Mount Surface Mount
封装 SOT-669 Power-SO8 SOT-669
引脚数 - - 4
极性 N-Channel N-Channel -
耗散功率 62.5 W 62.5W (Tc) 51 W
漏源极电压(Vds) - 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 68.0 A 68.0 A -
输入电容(Ciss) - 1362pF @10V(Vds) 1270pF @12V(Vds)
额定功率(Max) - 62.5 W 51 W
耗散功率(Max) - 62.5W (Tc) 51W (Tc)
针脚数 - - 4
漏源极电阻 - - 0.00492 Ω
阈值电压 - - 1.7 V
输入电容 - - 1270 pF
上升时间 - - 39 ns
下降时间 - - 11 ns
工作温度(Max) - - 175 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
封装 SOT-669 Power-SO8 SOT-669
长度 - - 5 mm
宽度 - - 4.1 mm
高度 - - 1.1 mm
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Obsolete Active
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free 无铅