K9F4G08U0A-P、NAND04GW3B2DN6E对比区别

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型号 K9F4G08U0A-P NAND04GW3B2DN6E

描述 FLASH MEMORYNAND Flash Parallel 3V/3.3V 4G-bit 512M x 8 25us 48Pin TSOP T/R

数据手册 --

制造商 Samsung (三星) Micron (镁光)

分类 存储芯片

引脚数 - 48

封装 TSSOP TSOP-48

位数 - 8

存取时间(Max) - 25000 ns

工作温度(Max) - 85 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃

电源电压 - 2.7V ~ 3.6V

封装 TSSOP TSOP-48

工作温度 - -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 - RoHS Compliant

含铅标准 - 无铅