锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

IS43R32400D-5BLI、K4D26323RA-GC36、IS43R32400D-4BL对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS43R32400D-5BLI K4D26323RA-GC36 IS43R32400D-4BL

描述 DRAM 128M (4Mx32) 200MHz DDR 2.5V1M x 32Bit x 4 Banks with Bi-directional Data Strobe and DLL Double Data Rate Synchronous RAM (144-Ball FBGA)DRAM Chip DDR SDRAM 128Mbit 4Mx32 2.5V 144Pin LFBGA

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Samsung (三星) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 144 - 144

封装 BGA-144 LFBGA LFBGA-144

供电电流 - - 425 mA

位数 32 - 32

存取时间 5 ns - 4 ns

存取时间(Max) 0.7 ns - 0.7 ns

工作温度(Max) 85 ℃ - 70 ℃

工作温度(Min) 40 ℃ - 0 ℃

电源电压(Max) 2.7 V - 2.7 V

电源电压(Min) 2.3 V - 2.3 V

封装 BGA-144 LFBGA LFBGA-144

工作温度 - - 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Tray - Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

ECCN代码 - - EAR99

香港进出口证 - - NLR