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2N1613、JANTXV2N1613对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N1613 JANTXV2N1613

描述 NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTORNPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR

数据手册 --

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 TO-39 TO-39

引脚数 3 -

极性 - NPN

击穿电压(集电极-发射极) - 30 V

集电极最大允许电流 - 0.5A

耗散功率 0.8 W -

工作温度(Max) 175 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -

耗散功率(Max) 800 mW -

封装 TO-39 TO-39

产品生命周期 Active Active

包装方式 Bag -

材质 Silicon -

RoHS标准 Non-Compliant -