MT47H32M16HR-25E:G、MT47H32M16NF-25E:H对比区别

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型号 MT47H32M16HR-25E:G MT47H32M16NF-25E:H

描述 DDR DRAM, 32MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, 8 X 12.5MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-84MT47H32M16NF-25E:H 2000/圆盘

数据手册 --

制造商 Micron (镁光) Micron (镁光)

分类 RAM芯片存储芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 84 84

封装 TFBGA-84 FBGA-84

供电电流 - 160 mA

时钟频率 - 400 MHz

位数 - 16

存取时间 - 400 ps

存取时间(Max) - 0.4 ns

工作温度(Max) - 85 ℃

工作温度(Min) - 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

工作电压 1.80 V -

封装 TFBGA-84 FBGA-84

工作温度 0℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99