STF15N65M5、STFI15N65M5、FCPF9N60NT对比区别
型号 STF15N65M5 STFI15N65M5 FCPF9N60NT
描述 N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN沟道MOSFET 600V ， 9A ， 0.385Ω N-Channel MOSFET 600V, 9A, 0.385Ω
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-262-3 TO-220-3
漏源极电阻 0.308 Ω - 0.33 Ω
极性 N-CH - N-Channel
耗散功率 25 W 25 W 29.8 W
阈值电压 4 V - 2 V
漏源极电压(Vds) 650 V - 600 V
连续漏极电流(Ids) 11A - 9A
上升时间 - 8 ns 8.7 ns
输入电容(Ciss) 816pF @100V(Vds) 816pF @100V(Vds) 1240pF @100V(Vds)
额定功率(Max) 25 W - 29.8 W
下降时间 - 11 ns 10.2 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 30W (Tc) 30W (Tc) 29.8W (Tc)
针脚数 3 - -
长度 10.4 mm 10.4 mm 10.36 mm
宽度 4.6 mm 4.6 mm 4.9 mm
高度 16.4 mm 10.85 mm 16.07 mm
封装 TO-220-3 TO-262-3 TO-220-3
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 - -