IPP110N20N3G、IPP110N20NA、IPI110N20N3G对比区别

高亮显示差异参数

型号 IPP110N20N3G IPP110N20NA IPI110N20N3G

描述 OptiMOSTM3电源晶体管特性优良的栅极电荷X R DS （ ON）的乘积（ FOM ） OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)INFINEON  IPP110N20NA  晶体管, MOSFET, AEC-Q101, N沟道, 88 A, 200 V, 0.0099 ohm, 10 V, 3 V200V,88A,N沟道功率MOSFET

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 3 -

封装 TO-220 TO-220-3 TO-262-3-1

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.0099 Ω -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 300 W 300 W -

阈值电压 - 3 V -

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V -

漏源击穿电压 - 200 V -

连续漏极电流(Ids) - 88A -

上升时间 - 26 ns -

输入电容(Ciss) - 7100pF @100V(Vds) -

下降时间 - 11 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 300W (Tc) -

长度 - 10 mm -

宽度 - 4.4 mm -

高度 - 15.65 mm -

封装 TO-220 TO-220-3 TO-262-3-1

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Rail, Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -