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SI8220CB-A-ISR、SI8220CB-D-ISR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI8220CB-A-ISR SI8220CB-D-ISR

描述 MOSFET DRVR 2.5A 1Out Non-Inv 8Pin SOIC N T/R2.5A Gate Driver Capacitive Coupling 2500Vrms 1Channel 8-SOIC

数据手册 --

制造商 Silicon Labs (芯科) Silicon Labs (芯科)

分类 接口隔离器电源配件

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8

上升/下降时间 20ns (Max) 20ns (Max)

输出接口数 2 -

通道数 1 1

正向电压 2.5V (Max) 2.5V (Max)

耗散功率 1200 mW -

隔离电压 2500 Vrms 2500 Vrms

正向电流 30 mA 30 mA

正向电流(Max) 30 mA -

电源电压 6.5V ~ 24V -

封装 SOIC-8 SOIC-8

高度 - 1.55 mm

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free