1N5530D、JAN1N5530D-1对比区别

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型号 1N5530D JAN1N5530D-1

描述 Zener Diode, 10V V(Z), 1%, Silicon, Unidirectional, DO-7,无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的 LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW

数据手册 --

制造商 M/A-Com Microsemi (美高森美)

分类 齐纳二极管

安装方式 - Through Hole

封装 - DO-204AH

耗散功率 - -

稳压值 - 10 V

容差 - ±1 %

正向电压 - 1.1V @200mA

额定功率(Max) - 500 mW

封装 - DO-204AH

产品生命周期 Active Active

工作温度 - -65℃ ~ 175℃

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 -