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KSP05TA、KSP06TA对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 KSP05TA KSP06TA

描述 Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 3Pin TO-92 AmmoON Semiconductor KSP06TA , NPN 晶体管, 500 mA, Vce=80 V, HFE:50, 100 MHz, 3引脚 TO-92封装

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-226-3 TO-226-3

频率 100 MHz 100 MHz

耗散功率 625 mW 0.625 W

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 80 V

最小电流放大倍数(hFE) 50 @100mA, 1V 50 @100mA, 1V

额定功率(Max) 625 mW 625 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 625 mW 625 mW

额定电压(DC) 60.0 V -

额定电流 500 mA -

极性 NPN -

集电极最大允许电流 0.5A -

直流电流增益(hFE) 50 -

长度 - 4.58 mm

宽度 - 3.86 mm

高度 5.33 mm 4.58 mm

封装 TO-226-3 TO-226-3

材质 Silicon Silicon

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Box (TB) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅

REACH SVHC版本 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 -