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IRFS3107PBF、IRFS3107TRLPBF、IRFS3207ZPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFS3107PBF IRFS3107TRLPBF IRFS3207ZPBF

描述 INFINEON  IRFS3107PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 230 A, 75 V, 0.0025 ohm, 10 V, 2.35 V晶体管, MOSFET, N沟道, 195 A, 75 V, 0.0025 ohm, 10 V, 4 VINFINEON  IRFS3207ZPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 170 A, 75 V, 0.0033 ohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

额定功率 370 W 370 W 300 W

通道数 - 1 1

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.0025 Ω 2.5 mΩ 0.0033 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 370 W 370 W 300 W

阈值电压 2.35 V 4 V 4 V

输入电容 - 9370 pF -

漏源极电压(Vds) 75 V 75 V 75 V

漏源击穿电压 - 75 V -

连续漏极电流(Ids) 230A 230A 170A

上升时间 110 ns 220 ns 68 ns

输入电容(Ciss) 9370pF @50V(Vds) 9370pF @50V(Vds) 6920pF @50V(Vds)

下降时间 100 ns 130 ns 68 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

耗散功率(Max) 370000 mW 370W (Tc) 300W (Tc)

额定功率(Max) - - 300 W

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

长度 - 6.5 mm -

宽度 - 6.22 mm 9.25 mm

高度 4.83 mm 2.3 mm -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

材质 Silicon - Silicon

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17