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IRF8721TRPBF、STS11N3LLH5、FDS6682对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF8721TRPBF STS11N3LLH5 FDS6682

描述 Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8Pin SOIC T/RSTMICROELECTRONICS  STS11N3LLH5  晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 30 V, 0.0117 ohm, 10 V, 1 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6682  晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 30 V, 7.5 mohm, 10 V, 1.7 V

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) - - 30.0 V

额定电流 - - 14.0 A

通道数 - - 1

针脚数 - 8 8

漏源极电阻 - 0.0117 Ω 0.0075 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5 W 2.7 W 2.5 W

阈值电压 - 1 V 1.7 V

输入电容 - - 2.31 nF

栅电荷 - - 22.0 nC

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 - - 30 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 14.0 A - 14.0 A

上升时间 - - 7 ns

输入电容(Ciss) 1040pF @15V(Vds) 724pF @25V(Vds) 2310pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W 2.7 W 1 W

下降时间 - - 16 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - 2.7W (Tc) 2.5W (Ta)

产品系列 IRF8721 - -

长度 - - 5 mm

宽度 - - 4 mm

高度 - - 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/06/15

ECCN代码 - - EAR99