NTD60N02RT4、STD50NH02LT4、NTD60N02RT4G对比区别

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型号 NTD60N02RT4 STD50NH02LT4 NTD60N02RT4G

描述 功率MOSFET 62 A， 24 V ， N沟道， DPAK Power MOSFET 62 A, 24 V, N−Channel, DPAKN沟道24V - 0.0085ohm - 50A - DPAK / IPAK的STripFET TM III功率MOSFET N-channel 24V - 0.0085ohm - 50A - DPAK/IPAK STripFET TM III Power MOSFET62A,25V功率MOSFET

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

引脚数 - - 3

额定电压(DC) 24.0 V 24.0 V 24.0 V

额定电流 60.0 A 50.0 A 60.0 A

通道数 1 1 -

漏源极电阻 8.4 mΩ 10.5 mΩ 8.40 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 1.87 W 60 W 1.87 W

漏源极电压(Vds) 25 V 24 V 25 V

漏源击穿电压 25 V 24 V 25.0 V

连续漏极电流(Ids) 62.0 A 50.0 A 62.0 A

上升时间 33 ns 130 ns 33 ns

输入电容(Ciss) 1330pF @20V(Vds) 1400pF @25V(Vds) 1330pF @20V(Vds)

额定功率(Max) 1.25 W 60 W 1.25 W

下降时间 33 ns 16 ns 9 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1.25W (Ta), 58W (Tc) 60W (Tc) 1.25W (Ta), 58W (Tc)

栅源击穿电压 ±20.0 V - ±20.0 V

长度 6.73 mm 6.6 mm -

宽度 6.22 mm 6.2 mm -

高度 2.38 mm 2.4 mm -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 - EAR99