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JANTX1N5619、JANTXV1N5619、1N5619对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANTX1N5619 JANTXV1N5619 1N5619

描述 ESD 抑制器/TVS 二极管 D MET 1A FAST 600V HRRectifier Diode, 1Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon, DO-7, HERMETIC SEALED PACKAGE-2无空隙气密式快恢复整流二极管玻璃 VOIDLESS-HERMETICALLY SEALED FAST RECOVERY GLASS RECTIFIERS

数据手册 ---

制造商 Semtech Corporation Semtech Corporation Microsemi (美高森美)

分类 TVS二极管TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 2 2

封装 G-2 G-2 Case A

正向电压 1.2 V 1.2 V 1.6V @3A

热阻 - - 38℃/W (RθJL)

反向恢复时间 250 ns 250 ns 250 ns

正向电压(Max) - - 1.6V @3A

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

正向电流 2000 mA 2000 mA -

正向电流(Max) 2 A 2 A -

长度 - - 3.94 mm

封装 G-2 G-2 Case A

工作温度 -65℃ ~ 175℃ -65℃ ~ 175℃ -65℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - - Bulk

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

军工级 - - Yes