PHP21N06T、PSMN005-55P、AUIRL1404Z对比区别
型号 PHP21N06T PSMN005-55P AUIRL1404Z
描述 TrenchMOSO晶体管标准水平FET TrenchMOSO transistor Standard level FETN沟道逻辑电平的TrenchMOS晶体管 N-channel logic level TrenchMOS transistorN 通道功率 MOSFET，InfineonInfineon 的全面 AECQ-101 汽车资格单芯片 N 通道设备组合可满足许多应用中的多种电源要求。 该分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-220-3 SOT-78 TO-220-3
引脚数 - - 3
额定电压(DC) 55.0 V - -
额定电流 21.0 A - -
通道数 1 - -
漏源极电阻 75 mΩ - 0.0025 Ω
耗散功率 69 W - 200 W
输入电容 500 pF - -
栅电荷 13.0 nC - -
漏源极电压(Vds) 55.0 V 55 V 40 V
漏源击穿电压 55 V - -
连续漏极电流(Ids) 21.0 A 75A 180A
上升时间 16 ns - 180 ns
下降时间 13 ns - 49 ns
工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ - -55 ℃
极性 - N-CH N-Channel
输入电容(Ciss) - 6500pF @25V(Vds) 5080pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 230 W -
额定功率 - - 200 W
阈值电压 - - 1.4 V
耗散功率(Max) - - 200W (Tc)
长度 10.3 mm - 10.66 mm
宽度 4.7 mm - 4.82 mm
高度 9.4 mm - 16.51 mm
封装 TO-220-3 SOT-78 TO-220-3
产品生命周期 Unknown Unknown Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 - - Silicon
ECCN代码 - - EAR99