70V659S12BFI、IDT70T659S12BFI、70T659S12BC对比区别

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型号 70V659S12BFI IDT70T659S12BFI 70T659S12BC

描述 IC SRAM 4.5Mbit 12NS 208CABGAHIGH -SPEED 2.5V 256 / 128K ×36异步双口静态RAM为3.3V 0R 2.5V接口 HIGH-SPEED 2.5V 256/128K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE128K x 36 Async, 3.3V/2.5V Dual-Port RAM, Interleaved I/O's

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

引脚数 208 - 256

封装 CABGA-208 FBGA-208 LBGA-256

安装方式 Surface Mount - -

电源电压 3.15V ~ 3.45V 2.4V ~ 2.6V 2.4V ~ 2.6V

存取时间 12 ns - -

工作温度(Max) 85 ℃ - -

工作温度(Min) 40 ℃ - -

电源电压(Max) 3.45 V - -

电源电压(Min) 3.15 V - -

长度 15 mm - 17.0 mm

宽度 15 mm - 17.0 mm

封装 CABGA-208 FBGA-208 LBGA-256

厚度 1.40 mm - 1.40 mm

高度 1.4 mm - -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tray Tray Tube, Rail

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Contains Lead

ECCN代码 - 3A991 -