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DS1249W-150、DS1249W-100#对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS1249W-150 DS1249W-100#

描述 IC NVSRAM 2Mbit 150NS 32DIPNon-Volatile SRAM Module, 256KX8, 100ns, CMOS, 0.74INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-32

数据手册 --

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 EDIP-32 EDIP-32

引脚数 32 -

存取时间 150 ns 100 ns

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

电源电压(Max) 3.6 V 3.6 V

电源电压(Min) 3 V 3 V

电源电压(DC) 3.30 V, 3.60 V (max) -

时钟频率 150 GHz -

内存容量 2000000 B -

工作温度(Max) 70 ℃ -

工作温度(Min) 0 ℃ -

封装 EDIP-32 EDIP-32

长度 43.69 mm -

宽度 18.8 mm -

高度 9.4 mm -

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Bulk Tube

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead 无铅