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SD1446、VLB70-12F、MS1253对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SD1446 VLB70-12F MS1253

描述 射频与微波晶体管高频/甚高频应用 RF & MICROWAVE TRANSISTORS HF/VHF APPLICATIONSRF Power Bipolar Transistor, 1Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, 0.38INCH, FM-4RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, 0.380 INCH, PLASTIC, M113, 4 PIN

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Advanced Semiconductor Advanced Power Technology

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - -

引脚数 4 - -

封装 M-113 - -

额定电压(DC) 36.0 V - -

额定电流 12.0 A - -

极性 NPN - -

输出功率 70.0 W - -

击穿电压(集电极-发射极) 18 V - -

增益 10 dB - -

最小电流放大倍数(hFE) 10 @5A, 5V - -

额定功率(Max) 183 W - -

工作温度(Max) 200 ℃ - -

工作温度(Min) -65 ℃ - -

耗散功率(Max) 183000 mW - -

封装 M-113 - -

工作温度 200℃ (TJ) - -

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 Tray - -

RoHS标准 RoHS Compliant - -

含铅标准 Lead Free - -