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BUK7506-75B、PSMN012-80PS、IPP052NE7N3 G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BUK7506-75B PSMN012-80PS IPP052NE7N3 G

描述 的TrenchMOS标准水平FET TrenchMOS standard level FETN 通道 MOSFET,60V 至 80V,Nexperia### MOSFET 晶体管,NXP SemiconductorsINFINEON  IPP052NE7N3 G  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 75 V, 0.0047 ohm, 10 V, 3.1 V

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Nexperia (安世) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-220 TO-220 TO-220-3

额定功率 - 148 W -

输入电容(Ciss) - 2782pF @12V(Vds) 3570pF @37.5V(Vds)

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 148 W 150000 mW

额定电压(DC) 75.0 V - -

额定电流 75.0 A - -

极性 N-CH - N-Channel

漏源极电压(Vds) 75 V - 75 V

连续漏极电流(Ids) 159A - -

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - - 0.0047 Ω

耗散功率 - - 150 W

阈值电压 - - 3.1 V

上升时间 - - 11 ns

下降时间 - - 8 ns

长度 - 10.3 mm 10 mm

宽度 - 4.7 mm 4.4 mm

高度 - 16 mm 15.65 mm

封装 TO-220 TO-220 TO-220-3

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

工作温度 - - -55℃ ~ 175℃