RFP15N05L、RFP50N06、RFG70N06对比区别

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型号 RFP15N05L RFP50N06 RFG70N06

描述 15A ， 50V和60V ， 0.140欧姆，逻辑电平N沟道功率MOSFET 15A, 50V and 60V, 0.140 Ohm, Logic Level N-Channel Power MOSFETsFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  RFP50N06  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 22 mohm, 10 V, 4 V70A ， 60V ，额定雪崩， N沟道增强型功率MOSFET 70A, 60V, Avalanche Rated, N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFETs

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-247-3

额定电压(DC) 50.0 V 60.0 V 60.0 V

额定电流 15.0 A 50.0 A 70.0 A

额定功率 - 131 W -

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 140 mΩ 22 mΩ 14.0 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 60W (Tc) 131 W 150W (Tc)

阈值电压 - 4 V -

漏源极电压(Vds) 50 V 60 V 60 V

漏源击穿电压 50.0 V 60 V 60.0 V

连续漏极电流(Ids) 15.0 A 50.0 A 70.0 A

上升时间 - 55 ns -

输入电容(Ciss) 900pF @25V(Vds) 2020pF @25V(Vds) 2250pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 131 W -

下降时间 - 13 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) 60W (Tc) 131 W 150W (Tc)

栅源击穿电压 ±10.0 V - ±20.0 V

长度 - 10.67 mm -

宽度 - 4.83 mm -

高度 - 9.4 mm -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Tube Tube Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

ECCN代码 - EAR99 EAR99