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2N2219、JANTXV2N2219、2N2219A对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N2219 JANTXV2N2219 2N2219A

描述 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Ampl/SwitchNPN开关晶体管硅 NPN SWITCHING SILICON TRANSISTORSTMICROELECTRONICS  2N2219A  单晶体管 双极, NPN, 40 V, 300 MHz, 800 mW, 600 mA, 300 hFE

数据手册 ---

制造商 Central Semiconductor Microsemi (美高森美) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - - 3

封装 TO-39-3 TO-205 TO-39

频率 - - 250 MHz

额定电压(DC) - - 75.0 V

额定电流 - - 600 mA

额定功率 - - 800 mW

针脚数 - - 3

极性 - - NPN

耗散功率 800 mW - 800 mW

集电极击穿电压 - - 75.0 V

击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30 V 30 V

最小电流放大倍数(hFE) 100 @150mA, 10V 100 @150mA, 10V 100 @150mA, 10V

额定功率(Max) 800 mW 800 mW 800 mW

直流电流增益(hFE) - - 300

工作温度(Max) 150 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃

耗散功率(Max) - - 800 mW

封装 TO-39-3 TO-205 TO-39

长度 9.4 mm - -

宽度 9.4 mm - -

高度 6.6 mm - -

材质 - - Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -55℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 - Tube, Rail Bag

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99