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MAP6KE150CA、MAP6KE150CAE3、P6KE150CA-T对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MAP6KE150CA MAP6KE150CAE3 P6KE150CA-T

描述 128V 600WTVS 600W BIDIR T-18 AXIALTrans Voltage Suppressor Diode, 600W, 128V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, T-18, 2 PIN

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 T-18 T-18 -

引脚数 2 - -

脉冲峰值功率 600 W 600 W -

最小反向击穿电压 143 V 143 V -

钳位电压 207 V - -

最大反向电压(Vrrm) 128V - -

测试电流 1 mA - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -65 ℃ - -

工作结温 -65℃ ~ 150℃ - -

封装 T-18 T-18 -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bag - -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free -