BSM50GAL120DN2、CM50E3U-24H对比区别

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型号 BSM50GAL120DN2 CM50E3U-24H

描述 IGBT Power Module (Single switch with chopper diode Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate)Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 400000mW 5Pin

数据手册 --

制造商 Siemens Semiconductor (西门子) Powerex

分类 IGBT晶体管

安装方式 - Chassis

引脚数 - 5

封装 - Module

极性 - N-Channel

击穿电压(集电极-发射极) - 1200 V

输入电容(Cies) - 7.5nF @10V

额定功率(Max) - 400 W

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃

封装 - Module

产品生命周期 Obsolete Obsolete

RoHS标准 - RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free