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JAN2N3716、JANTX2N3716、2N3716对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN2N3716 JANTX2N3716 2N3716

描述 NPN大功率硅晶体管 NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTORNPN大功率硅晶体管 NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTORNPN High Power Silicon Transistor

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) M/A-Com

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 3 -

封装 TO-3 TO-3 -

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V -

最小电流放大倍数(hFE) 30 @3A, 2V 30 @3A, 2V -

额定功率(Max) 5 W 5 W -

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 5000 mW 5000 mW -

耗散功率 - 5 W -

封装 TO-3 TO-3 -

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Tray -

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant -

含铅标准 Contains Lead -

ECCN代码 - EAR99 -