CY7C1645KV18-450BZXI、CY7C2665KV18-450BZXI、CY7C2665KV18-450BZI对比区别

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型号 CY7C1645KV18-450BZXI CY7C2665KV18-450BZXI CY7C2665KV18-450BZI

描述 144 - Mbit的QDR® II SRAM四字突发架构（ 2.0周期读延迟） 144-Mbit QDR® II SRAM Four-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)SRAM Chip Sync Dual 1.8V 144M-Bit 4M x 36 0.45ns 165Pin FBGA TraySRAM Chip Sync Dual 1.8V 144M-Bit 4M x 36 0.45ns 165Pin FBGA Tray

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 165 165 165

封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165

供电电流 1290 mA - 1290 mA

时钟频率 450 MHz - 450 MHz

位数 36 36 36

存取时间 0.45 ns - 0.45 ns

存取时间(Max) 0.45 ns 0.45 ns 0.45 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

电源电压(Max) 1.9 V - -

电源电压(Min) 1.7 V - -

高度 0.89 mm 0.89 mm 0.89 mm

封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 PB free Lead Free Contains Lead

ECCN代码 - 3A991.b.2.a 3A991.b.2.a