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CY7C1525KV18-250BZXI、GS8662Q09GE-250I、CY7C1525KV18-250BZXIT对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C1525KV18-250BZXI GS8662Q09GE-250I CY7C1525KV18-250BZXIT

描述 72 - Mbit的QDR II SRAM 2字突发架构双字突发所有访问 72-Mbit QDR II SRAM 2-Word Burst Architecture Two-word burst on all accessesSRAM Chip Sync Dual 1.8V 72M-Bit 8M x 9Bit 0.45ns 165Pin FBGA静态随机存取存储器 72Mb (8Mx9) 1.8v 250Mhz QDR II 静态随机存取存储器

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) GSI Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 165 - -

封装 FBGA-165 - LBGA-165

供电电流 640 mA - -

时钟频率 250 MHz - -

位数 9 - 9

存取时间 0.45 ns - -

存取时间(Max) 0.45 ns - 0.45 ns

工作温度(Max) 85 ℃ - 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ - -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V - 1.7V ~ 1.9V

电源电压(Max) 1.9 V - -

电源电压(Min) 1.7 V - -

长度 15 mm - -

宽度 13 mm - -

高度 0.89 mm - -

封装 FBGA-165 - LBGA-165

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) - -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown - Unknown

包装方式 Tray Tray Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant - RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - 无铅

ECCN代码 3A991.b.2.a - -