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4N60L-TQ3-R、AOI4N60、AOU4N60对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 4N60L-TQ3-R AOI4N60 AOU4N60

描述 4A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET600V,4A,N沟道MOSFET600V,4A,N沟道MOSFET

数据手册 ---

制造商 UTC (友顺) Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体) Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 - TO-251-3 TO-251-3

极性 - N-CH N-CH

耗散功率 - 104 W 104W (Tc)

漏源极电压(Vds) - 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) - 4A 4A

上升时间 - 26 ns 26 ns

输入电容(Ciss) - 640pF @25V(Vds) 640pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 104 W 104 W

下降时间 - 21 ns 21 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -50 ℃ -50 ℃

耗散功率(Max) - 104W (Tc) 104W (Tc)

封装 - TO-251-3 TO-251-3

工作温度 - -50℃ ~ 150℃ (TJ) -50℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 - Not Recommended Not Recommended

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free