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P6SMBJ6.8A、SMLVT3V3、P6SMB6.8A对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 P6SMBJ6.8A SMLVT3V3 P6SMB6.8A

描述 硅雪崩二极管 - 600W表面贴装瞬态电压抑制器 Silicon Avalanche Diodes - 600W Surface Mount Transient Voltage SupressorsSTMICROELECTRONICS  SMLVT3V3  TVS二极管, TVS, Transil SMLV系列, 单向, 3.3 V, 10.3 V, DO-214AA, 2 引脚TVS Diodes SMT Unidirectional 600W, P6SMB Series, Littelfuse### 瞬态电压抑制器,Littelfuse

数据手册 ---

制造商 Littelfuse (力特) ST Microelectronics (意法半导体) Littelfuse (力特)

分类 TVS二极管TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 2 2 2

封装 DO-214AA DO-214AA DO-214-2

电容 - 5200 pF 10000 pF

击穿电压 6.45 V 3.3 V 6.8 V

电路数 - 1 1

针脚数 - 2 2

正向电压 - - 5 V

耗散功率 - 600 W 600 W

钳位电压 10.5 V 10.3 V 10.5 V

测试电流 - 1 mA 10 mA

最大反向击穿电压 - 4.1 V 7.14 V

脉冲峰值功率 600 W 600 W 600 W

最小反向击穿电压 6.45 V 4.1 V 6.45 V

击穿电压 - 4.1 V 6.45 V

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -65 ℃

工作结温 - -25℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 150℃

额定电压(DC) 6.80 V 3.30 V -

工作电压 5.8 V 3.3 V -

额定功率 600 W 600 W -

最大反向电压(Vrrm) - 3.3V -

长度 5.59 mm 4.6 mm 4.57 mm

宽度 3.94 mm 3.95 mm 3.94 mm

高度 2.44 mm 2.45 mm 2.237 mm

封装 DO-214AA DO-214AA DO-214-2

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -25℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2014/12/17

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 - EAR99 -