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MAZ4110-H、RD10JSAB1、RLZ39对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MAZ4110-H RD10JSAB1 RLZ39

描述 硅平面型 Silicon planar typeSILICON ZENER DIODES500兆瓦的齐纳二极管LEADLESS 500 MW ZENER LEADLESS DIODE

数据手册 ---

制造商 Panasonic (松下) EIC ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类

基础参数对比

封装 DO-34-A2 DO-34 -

引脚数 - 2 -

耗散功率 370 mW - -

稳压值 11 V 9.7 V -

测试电流 - 5 mA -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

封装 DO-34-A2 DO-34 -

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant