CY7C1512KV18-300BZI、CY7C1512KV18-300BZXI、GS8662Q18BGD-300I对比区别

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型号 CY7C1512KV18-300BZI CY7C1512KV18-300BZXI GS8662Q18BGD-300I

描述 72 - Mbit的QDR - II SRAM的2字突发架构 72-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture72 - Mbit的QDR II SRAM 2字突发架构双字突发所有访问 72-Mbit QDR II SRAM 2-Word Burst Architecture Two-word burst on all accessesSRAM Chip Sync Dual 1.8V 72M-Bit 4M x 18 0.45ns 165Pin FBGA Tray

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) GSI

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 165 165 165

封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA

供电电流 750 mA - -

时钟频率 300 MHz - -

位数 18 18 -

存取时间 0.45 ns - -

存取时间(Max) 0.45 ns 0.45 ns -

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V -

高度 0.89 mm 0.89 mm -

封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 100℃

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tray Tray -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free -

ECCN代码 - 3A991.b.2.a -