M25P10-AVMN6P、M25P80-VMW6、M25P10-AVMN6TP对比区别

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型号 M25P10-AVMN6P M25P80-VMW6 M25P10-AVMN6TP

描述 1兆位，低电压，串行闪存的25 MHz SPI总线接口 1 Mbit, Low Voltage, Serial Flash Memory With 25 MHz SPI Bus Interface8兆位，低电压，串行闪存的40MHz SPI总线接口 8 Mbit, Low Voltage, Serial Flash Memory With 40MHz SPI Bus Interface1兆位，低电压，串行闪存的25 MHz SPI总线接口 1 Mbit, Low Voltage, Serial Flash Memory With 25 MHz SPI Bus Interface

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 Flash芯片存储芯片存储芯片

封装 SOIC-8 SOIC-8 SO

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 8 8 -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SO

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tube Tube Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free PB free

电源电压(DC) 3.30 V, 3.60 V (max) 3.30 V, 3.60 V (max) -

时钟频率 40.0 MHz, 40.0 MHz (max) 40.0 MHz, 40.0 MHz (max) -

存取时间 40.0 µs 40.0 µs -

内存容量 1000000 B 8000000 B -

工作温度(Max) 85 ℃ - -

工作温度(Min) 40 ℃ - -

电源电压(Max) 3.6 V - -

电源电压(Min) 2.7 V - -

电源电压 - 2.7V ~ 3.6V -

工作温度 40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA) -