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BZT52H-B12、BZT52H-B12,115、BZT52H-B12,135对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZT52H-B12 BZT52H-B12,115 BZT52H-B12,135

描述 Zener DiodeSOD-123F 12V 830mWSOD-123F 12V 830mW

数据手册 ---

制造商 Nexperia (安世) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

封装 - SOD-123F SOD-123F

容差 - ±2 % -

正向电压 - 900mV @10mA -

耗散功率 - 830 mW 830 mW

稳压值 - 12 V 12 V

正向电压(Max) - 900mV @10mA -

额定功率(Max) - 375 mW -

封装 - SOD-123F SOD-123F

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 - Lead Free -