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IXFH30N60P、IXFV30N60PS、SPW16N50C3对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFH30N60P IXFV30N60PS SPW16N50C3

描述 N沟道 600V 30ATrans MOSFET N-CH 600V 30A 3Pin(2+Tab) PLUS220 SMDInfineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 PLUS-220-SMD-3 TO-247-3

额定电压(DC) 600 V 600 V 560 V

额定电流 30.0 A 30.0 A 16.0 A

漏源极电阻 240 mΩ 240 mΩ 0.25 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 500 W 500 W 160 W

输入电容 4.00 nF 4.00 nF -

栅电荷 82.0 nC 82.0 nC -

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 560 V

漏源击穿电压 600 V 600 V -

连续漏极电流(Ids) 30.0 A 30.0 A 16.0 A

输入电容(Ciss) 4000pF @25V(Vds) 4000pF @25V(Vds) 1600pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 500W (Tc) 500W (Tc) 160W (Tc)

通道数 - - 1

针脚数 - - 3

阈值电压 - - 3 V

上升时间 - 20 ns 8 ns

额定功率(Max) - - 160 W

下降时间 - 25 ns 8 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

封装 TO-247-3 PLUS-220-SMD-3 TO-247-3

长度 - 11 mm 16.13 mm

宽度 - 15 mm 5.21 mm

高度 - 4.7 mm 21.1 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Not Recommended

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99