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BSC079N03SG、BSC080N03LSGATMA1、BSC0909NSATMA1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSC079N03SG BSC080N03LSGATMA1 BSC0909NSATMA1

描述 OptiMOS®2功率三极管 OptiMOS™2 Power-TransistorINFINEON  BSC080N03LSGATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 53 A, 30 V, 0.0067 ohm, 10 V, 2.2 V晶体管, MOSFET, N沟道, 44 A, 34 V, 0.0077 ohm, 10 V, 2 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 8 8

封装 PG-TDSON-8 PG-TDSON-8 PG-TDSON-8

额定功率 - 35 W 27 W

通道数 - 1 -

针脚数 - 8 8

漏源极电阻 - 0.0067 Ω 0.0077 Ω

极性 - N-Channel N-CH

耗散功率 2.8W (Ta), 60W (Tc) 35 W 2.5 W

阈值电压 - 2.2 V 2 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 34 V

漏源击穿电压 - 30 V -

连续漏极电流(Ids) - 14A 12A

上升时间 - 2.8 ns 4.4 ns

输入电容(Ciss) 2230pF @15V(Vds) 1300pF @15V(Vds) 1110pF @15V(Vds)

下降时间 - 2.6 ns 5.4 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.8W (Ta), 60W (Tc) 2.5W (Ta), 35W (Tc) 2.5W (Ta), 27W (Tc)

额定电压(DC) 30.0 V - -

额定电流 40.0 A - -

长度 - 5.9 mm 5.9 mm

宽度 - 5.15 mm 5.15 mm

高度 - 1.27 mm 1.27 mm

封装 PG-TDSON-8 PG-TDSON-8 PG-TDSON-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -