IRFL4310TRPBF、PMT200EN,115、IRFL4310TR对比区别
型号 IRFL4310TRPBF PMT200EN,115 IRFL4310TR
描述 INFINEON IRFL4310TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.6 A, 100 V, 200 mohm, 10 V, 4 VSC-73 N-CH 100V 1.8ASOT-223 N-CH 100V 2.2A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 4 4 4
封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4
额定功率 2.1 W - -
针脚数 4 - -
漏源极电阻 0.2 Ω - -
极性 N-CH N-CH N-CH
耗散功率 2.1 W 800mW (Ta), 8.3W (Tc) 2.1 W
阈值电压 4 V - -
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 2.2A 1.8A 2.2A
上升时间 18 ns 5 ns 18 ns
输入电容(Ciss) 330pF @25V(Vds) 475pF @80V(Vds) 330pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 1 W - 1 W
下降时间 20 ns 3 ns 20 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 1W (Ta) 800mW (Ta), 8.3W (Tc) 1W (Ta)
封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4
材质 Silicon - Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -