FQI27N25、FQI27N25TU对比区别

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型号 FQI27N25 FQI27N25TU

描述 250V N沟道MOSFET 250V N-Channel MOSFET250V N沟道MOSFET 250V N-Channel MOSFET

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管

安装方式 - Through Hole

引脚数 - 3

封装 I2PAK TO-262-3

额定电压(DC) - 250 V

额定电流 - 25.5 A

漏源极电阻 - 110 mΩ

极性 N-CH N-Channel

耗散功率 - 3.13 W

漏源极电压(Vds) 250 V 250 V

漏源击穿电压 - 250 V

栅源击穿电压 - ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 25.5A 25.5 A

上升时间 - 270 ns

输入电容(Ciss) - 2450pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 3.13 W

下降时间 - 120 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 3.13W (Ta), 180W (Tc)

封装 I2PAK TO-262-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99